在国产功率半导体替代加速、下游新能源、汽车电子、工业控制产业高速迭代的浪潮下，成立于2018年的长晶科技，相较于士兰微、扬杰科技等老牌上市企业，属于行业后起之秀。但凭借精准的战略布局、技术自主研发与全产业链模式升级，公司打破行业先发优势壁垒，实现后发先至，快速跻身国内综合型半导体企业第一梯队，展现出强劲的成长韧性与核心竞争力。
2026年6月10日，长晶科技IPO获深交所主板受理。财务数据显示，2023年至2025年，公司业绩实现跨越式增长，营业收入分别为22.60亿元、26.78亿元和29.85亿元，扣非后归母净利润分别为1.24亿元、2.18亿元和3.34亿元，综合毛利率分别为28.64%、30.00%和31.33%，销售规模和盈利水平逐年上升。
提速追赶 跑出行业增长新速度
纵观国内功率半导体赛道，士兰微和扬杰科技等行业头部企业深耕IDM模式多年，依托稳定的产能布局和市场积淀，长期稳居国内分立器件行业前列，凭借先发优势构筑了深厚的行业壁垒。
相较而言，长晶科技2018年成立时，国内外市场格局已初步成型，公司成立之初面临行业头部企业的多重竞争挤压。但公司摒弃传统行业发展路径，以“内生研发迭代+外延资源整合”为双轮驱动，精准把握国产替代核心机遇，逐步完成从Fabless模式到“Fabless+IDM”并行模式的战略升级——2020年公司在南京投资设立长晶浦联组建车规级封装测试产线，2022年收购新顺微电子整合晶圆制造资源，并建立了失效分析及可靠性测试实验室并通过CNAS资质认证，最终在分立器件领域形成了覆盖芯片设计、晶圆制造到封装测试的全产业链业务能力。
不同于数字芯片，分立器件及模拟IC不单纯追求摩尔定律，不追求先进制程和先进工艺，而强调设计、制造、应用的深度结合，因此更重视设计、晶圆制造和封装测试的一体化。目前，全球排名前列的分立器件或模拟IC半导体公司（如英飞凌、安森美、德州仪器等），普遍采用IDM模式，通过内部整合资源，形成产业链一体化竞争优势。
据招股书数据，2023年至2025年，公司营业收入由22.60亿元增长至29.85亿元，扣非归母净利润自1.24亿元攀升至3.34亿元；其中MOSFET作为新开发的产品线，2022至2025年收入由3.25亿元增长至8.13亿元，复合增速高达35.82%，成长速度突出。根据中国半导体行业协会的证明，2024年公司二三极管合计销售规模在中国市场位于全行业第3名、中国大陆企业第2名；CSP MOSFET市场占有率在中国市场位于全行业第3名、中国大陆企业第1名。
长晶科技凭借扎实的运营、灵活的市场响应机制和持续的技术投入，在产品迭代、市场拓展、技术突破、运营模式（IDM）上持续提速，成功实现迎头赶上，成为行业增速最快的潜力企业之一。
对标国际 构筑全覆盖产品矩阵
全球功率半导体头部企业的核心竞争力，关键在于齐全的产品线布局与全场景覆盖能力，能够为下游客户提供一站式芯片解决方案。作为国内后发入局者，长晶科技精准对标英飞凌、安森美、安世半导体等国际巨头的全品类布局逻辑，突破国内同行产品单一、覆盖不全的行业痛点，构建起全门类、多规格、高适配的半导体产品体系，产品线完备性比肩国内外头部企业。
根据招股书披露，长晶科技主营产品全面覆盖二极管、三极管、MOSFET、IGBT等核心分立器件，同时布局电源管理IC、分立器件晶圆等核心品类，拥有上万种规格型号产品的量产能力，是国内产品门类最齐全、系列最丰富的分立器件与电源管理IC企业之一。产品矩阵兼顾中低端基础器件与高端功率芯片，既包含适配消费电子的常规器件，也涵盖适配新能源、工业控制、智能汽车的高压、高频、高可靠性高端产品，实现了消费、工业、车规级场景的全方位覆盖。目前公司已累计落地超3000款车规级认证产品，全面满足智能汽车领域的严苛需求。
长晶科技通过全品类布局，成功打破细分赛道局限，形成“基础产品稳底盘、高端产品提增量”的产品格局，综合配套能力跻身行业第一梯队。2025年，公司分立器件、电源管理IC、晶圆业务协同发展，收入占比分别为75.70%、8.13%、15.88%，多赛道均衡发展抵御单一行业周期波动风险。其中二三极管作为业务基本盘，报告期内占主营业务收入比例分别为47.20%、47.07%和46.63%，实现收入的二三极管产品超8000款。
筑牢壁垒 深耕产业链关键核心环节
功率半导体作为电子设备的“工业大米”，是支撑我国高端制造、新能源产业升级的核心基础元器件，更是保障半导体产业链自主可控的关键环节。相较于产品布局的表层优势，长晶科技真正的核心竞争力，源于自主可控的独家工艺技术、差异化的技术壁垒，以及在产业链关键核心环节的不可替代性，其自研技术精准匹配高端产业刚需，填补了多项国产技术空白。
依托持续高强度的研发投入，长晶科技积累了一系列自主知识产权核心技术，聚焦器件小型化、低功耗、高耐压、高可靠性四大核心技术方向，自研掌握SGT沟槽工艺、超结SJ高压工艺、晶圆级CSP封装、高效功率集成技术等多项行业先进技术。公司持续推进工艺平台迭代升级——2025年完成功率器件新产品固化量产近百颗，完成CSP G2、SGT G2/G3、IGBT G3和Trench G2等工艺平台迭代升级。招股书显示，截至2025年末，公司拥有授权专利235件（其中发明专利80件）、集成电路布图设计专有权113件。
元股证券:ygzq.hk区别于行业通用工艺，长晶科技优化的沟槽结构设计大幅提升MOSFET芯片电流密度、降低导通损耗；自研超结技术突破传统器件耐压极限，完美适配高压储能、工业变频场景；独创的晶圆级CSP MOSFET产品经江苏省工信厅鉴定为国内领先、国际先进水平；60V-150V SGT MOSFET系列性能对标国际一线品牌。
在IGBT领域，公司推出的FST3.0产品采用先进的微沟槽栅（1.6μm Pitch）+场终止技术，显著提高载流子密度、降低通态损耗和开关损耗，达到国际主流品牌最新代次水平；1200V IGBT半桥模块系列包含450A、600A与900A三种电流规格，全面覆盖光伏储能系统需求。
公司同时积极布局第三代半导体，开发建设自主可控的宽禁带SiC工艺平台，SiC MOSFET与SiC 二极管已实现量产。这些专属技术让公司产品在同等规格下，具备更低能耗、更高稳定性、更长使用寿命的核心优势，形成区别于同行的技术护城河。
凭借独一无二的差异化技术优势，长晶科技精准卡位国内功率半导体产业链核心环节，补齐了国内产业“高端技术缺失、高端产品不足”的短板，持续降低下游高端产业的进口依赖度，为国内半导体产业链自主可控、高端化升级提供坚实技术支撑。
本次IPO，长晶科技拟募集资金14.904亿元，计划投资于年产100亿颗工控及车规级功率器件封装测试产业化项目（拟投入6.82亿元）、MOSFET/IGBT及第三代半导体技术研发项目（拟投入2.32亿元）、电源管理IC技术研发项目（拟投入2.07亿元）以及补充流动资金（3.70亿元），持续加码高端产能与前沿技术研发。
未来可期 深耕国产功率半导体创新高地
从后发入局到领跑细分赛道，从单品突破到全链布局，长晶科技凭借差异化战略、全品类布局与硬核技术创新，打破了行业先发企业的垄断格局。
未来，随着国产替代进程持续深化、下游高端市场需求持续扩容，长晶科技将持续深耕功率半导体赛道，持续迭代核心技术、完善产品矩阵，进一步发挥产业链核心价值，致力成为全球领先的综合型半导体企业，助力中国半导体产业高质量升级。
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责任编辑：公司观察股票消息
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